高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，选用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号
氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体职业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式对外发布第三代快速（G3
碳化硅MOSFETs产品系列，为完成最快的开关速度、最高的功率和功率密度的增进进行优化，
N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》材料免费下载
75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》材料免费下载
60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》材料免费下载
50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC材料文档.pdf》材料免费下载
近来，国内半导体功率器材领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度改写业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频使用而规划的50A
封装IGBT单管 /
-2封装，具有2个引脚，不只增加了安规间隔，提高了可靠性，并且适用于多种使用场景。
三相MOSFET/IGBT驱动器 /
【书本评测活动NO.42】 嵌入式Hypervisor：架构、原理与使用
串口发送中止中对发送I/O口界说为GPIO输出，呈现发送数据不完整，短少2个字节，求回答
[2K系列] 【龙芯2K0300蜂鸟板试用】第六篇 龙芯2K0300蜂鸟板--用QT点灯
上一篇:宝马传动轴异响不仅是一个技术问题 更是对其品牌承诺的一次拷问
下一篇:美国留学会计专业申请解析
